Samsung, 6. nesil DRAM üretimine başlıyor!
Samsung Electronics, 6. nesil DRAM üretimi için onay aldı. Şirket, ileri seviye 10 nanometre sınıfı üretim teknolojisiyle geliştirdiği bu yeni DRAM’lerde testlerde yüzde 50 ila yüzde 70 arasında verimlilik oranı sağladı. Bu gelişme, Samsung’un yaklaşık iki yılda bir yeni nesil ürün sunma planıyla paralel ilerliyor.
Samsung, 6. nesil DRAM üretimine geçiyor
Yeni DRAM teknolojisinin en önemli uygulama alanı, yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) segmenti olacak. Samsung, 2025’in ikinci yarısında HBM4 belleklerin seri üretimine başlamayı planlıyor.
Bu süreçte, 6. nesil DRAM teknolojisi kullanılacak ve Mayıs ayında tanıtılan hibrit bağlama teknolojisi belleklerde yer alacak. Hibrit bağlama yöntemi, ısı direncini azaltırken ultra geniş bellek arayüzleri sunacak. Böylece yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem uygulamalarının artan bant genişliği ve verimlilik talepleri karşılanacak.
HBM pazarının önde gelen firmalarından SK hynix ise HBM4 geliştirmelerini 5. nesil DRAM teknolojisiyle sürdürüyor ve bu yılın mart ayından itibaren büyük müşterilerine HBM4 örnekleri sunuyor. Samsung ve SK hynix, seri üretim için benzer zaman çizelgelerinde ilerliyor.
Samsung’un önündeki en önemli aşamalardan biri, Nvidia’nın HBM4 bellekler için yaptığı nitelendirme testlerini başarıyla tamamlamak. Bu onay, Samsung’un pazardaki tedarik hacmini artırması açısından kritik önemde bulunuyor. Şirket ayrıca, AMD’ye tedarik ettiği 12 katmanlı HBM3E bellekler için Nvidia’dan kalifikasyon onayı bekliyor.
